Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET Nej SI1401EDH-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7898
Producentens varenummer:: SI1401EDH-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET Nej SI1401EDH-T1-GE3

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 68,675

(ekskl. moms)

Kr. 85,85

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 2.900 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 2,747	Kr. 68,68

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7898
Producentens varenummer:: SI1401EDH-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4A
	Drain source spænding maks. Vds	12V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	US
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	34mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Portkildespænding maks.	10 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14.1nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.1mm
	Længde	2.2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	2.4 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A
	Drain source spænding maks. Vds 12V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype US
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 34mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Portkildespænding maks. 10 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.1nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.1mm
	Længde 2.2mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 2.4 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 12 V og en maksimal gate-kildespænding på 10 V. Den har en drænkildemodstand på 34 Mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 2,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 4 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er henholdsvis 1,5 V og 4,5 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

• typisk ESD-ydelse 1500 V.

Anvendelsesområder

• mobiltelefon

• DSC

• GPS

• Belastningsomskifter

• MP3

• PA-kontakt og batterikontakt til bærbare enheder

• bærbar spilkonsol

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet