Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2362ES-T1_GE3

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-8108
Producentens varenummer:
SQ2362ES-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.6nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.64 mm

Længde

3.04mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 95 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 4,3 A. Den har en driftsspænding på 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links