Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
RS-varenummer:
180-7399
Producentens varenummer:
SQ2337ES-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.2A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

314mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.5nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 290mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,2 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne MOSFET er hhv. 6 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links