Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2337ES-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 180-8076
- Producentens varenummer:
- SQ2337ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 89,92
(ekskl. moms)
Kr. 112,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.240 enhed(er) afsendes fra 15. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 4,496 | Kr. 89,92 |
| 200 - 480 | Kr. 3,426 | Kr. 68,52 |
| 500 - 980 | Kr. 2,697 | Kr. 53,94 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,248 | Kr. 44,96 |
| 2000 + | Kr. 2,024 | Kr. 40,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8076
- Producentens varenummer:
- SQ2337ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 314mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.64 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 314mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.64 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 290mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,2 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne MOSFET er hhv. 6 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2389ES-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2362ES-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2318AES-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2308CES-T1_GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2364EES-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ481EP-T1_GE3