DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOT
- RS-varenummer:
- 182-7055
- Producentens varenummer:
- DMC2057UVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 120,60
(ekskl. moms)
Kr. 150,80
(inkl. moms)
Tilføj 500 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 2.700 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 1,206 | Kr. 120,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7055
- Producentens varenummer:
- DMC2057UVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 3mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC3060
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 2.8 A 30 V Forbedring TSOT, DMP3164
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 3.4 A 30 V Forbedring TSOT, DMN3061
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
