Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSH101DN Nej
- RS-varenummer:
- 188-4892
- Producentens varenummer:
- SiSH101DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 5.907,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.383,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,969 | Kr. 5.907,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4892
- Producentens varenummer:
- SiSH101DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SiSH101DN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.93mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SiSH101DN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.93mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 35 A 30 V PowerPAK 1212-8SH SiSH101DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 30 V PowerPAK 1212-8SH SISHA10DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 20 A 30 V PowerPAK 1212-8SH SiSHA14DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 30 V PowerPAK 1212-8SH SiSHA12ADN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 185.6 A. 30 V PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 20 A 100 V PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben TrenchFET SiSH536DN-T1-GE3
