Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN Nej SiSS92DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,81

(ekskl. moms)

Kr. 89,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,181Kr. 71,81
100 - 240Kr. 7,054Kr. 70,54
250 - 490Kr. 6,104Kr. 61,04
500 - 990Kr. 4,668Kr. 46,68
1000 +Kr. 3,807Kr. 38,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4960
Producentens varenummer:
SiSS92DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12.3A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

SiSS92DN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

190mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10.4nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.78mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-32-538

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® med ThunderFET-teknologi optimerer balancen mellem RDS(on), Qg, Qsw og Qoss

Lederskab RDS(on) og RDS-Cass FOM

Relaterede links