Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 75,92

(ekskl. moms)

Kr. 94,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 994 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 37,96Kr. 75,92
20 - 48Kr. 34,185Kr. 68,37
50 - 98Kr. 32,39Kr. 64,78
100 - 198Kr. 30,37Kr. 60,74
200 +Kr. 28,50Kr. 57,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4970
Producentens varenummer:
SIHA100N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

E

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.1Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Portkildespænding maks.

30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

35W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.7mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

10.3mm

Højde

15.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHA100N60E-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til omskifter- og strømkonverteringsopgaver i hulmontering. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig drænstrøm og forhøjet håndtering af dræn-til-kilde-spænding, mens den bruger et TO-220-hus til konventionel montering.

Egenskaber og fordele:


• 600 V drain-kapacitet muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 12 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.1 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i strømkredsløb
• 35 W tab muliggør vedvarende effekthåndtering i omgivende køling
• 33 nC typisk portladning muliggør kontrolleret portdrevenergi
• 30 V maks. gate-drev sikrer robust gate-overdrive-margen

Anvendelser


• Velegnet til nettilsluttede switch-mode strømforsyninger
• Ideel til højspændingsmotor-invertertrin
• Anvendes sammen med diskrete boostomformertopologier
• Kan bruges til industrielle batteriladningssystemer
• Velegnet til effektfaktorkorrektion i frontender

Hvad er de termiske grænser for kontinuerlig brug?


Enheden kan fungere mellem -55 °C og 150 °C, hvilket muliggør anvendelse i både lav- og højtemperaturomgivelser med passende termisk styring.

Hvilken emballage- og monteringsmetode anvender den?


Den leveres i et TO-220-hus, der er beregnet til montering gennem hul, hvilket letter montering af kølelegeme og pålidelig mekanisk fastgørelse.

Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes?


Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V, så der bør vælges gate-drivere til at holde Vgs inden for denne grænse under skiftetransienter.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding kredsløbsdesign?


Med en fremadgående spænding på 1,2 V bør designere tage hensyn til dette fald, når de beregner ledningstab og termisk belastning i serie- eller synkrone konfigurationer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.