Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN Nej SISHA10DN-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 141,675

(ekskl. moms)

Kr. 177,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 5,667Kr. 141,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5146
Producentens varenummer:
SISHA10DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SiSHA10DN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.93mm

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Relaterede links