Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF Nej
- RS-varenummer:
- 200-6819
- Producentens varenummer:
- SIHP186N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 215,42
(ekskl. moms)
Kr. 269,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 990 enhed(er) afsendes fra 13. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 21,542 | Kr. 215,42 |
| 20 - 40 | Kr. 20,248 | Kr. 202,48 |
| 50 - 90 | Kr. 18,311 | Kr. 183,11 |
| 100 - 240 | Kr. 17,234 | Kr. 172,34 |
| 250 + | Kr. 16,157 | Kr. 161,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6819
- Producentens varenummer:
- SIHP186N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 193mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 14.4mm | |
| Længde | 10.52mm | |
| Bredde | 4.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 193mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 14.4mm | ||
Længde 10.52mm | ||
Bredde 4.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHP186N60EF-GE3 er en effekt-MOSFET i EF-serien med hurtig diode.
Generation E-serie teknologi
Lavt antal-af-fortjeneste
Lav effektiv kapacitet
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 12 A 3 ben EF SIHP186N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V TO-220AB, EF SiHP105N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 16 A 3 ben EF SIHP125N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V TO-220AB, EF Series SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V TO-220AB, EF-Series SIHP15N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 47 A 650 V TO-220AB SIHP054N65E-GE3
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V TO-220AB SIHP074N65E-GE3
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V TO-220AB SIHP085N60EF-GE3
