onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NTH Nej NTH4L020N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 153,01

(ekskl. moms)

Kr. 191,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 174 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 153,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5697
Producentens varenummer:
NTH4L020N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NTH

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

28mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

3.7V

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

510W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

220nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

15.2mm

Bredde

5.2 mm

Længde

18.62mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 102 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC- eller DC-konverter, boostinverter.

20 mA dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links