Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E Nej SIHD11N80AE-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 36,98

(ekskl. moms)

Kr. 46,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 7,396Kr. 36,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4979
Producentens varenummer:
SIHD11N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

E

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

391mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.4 mm

Længde

9.4mm

Højde

2.2mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har DPAK (TO-252) hustype med enkelt konfiguration.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (CISS)

Færre skift og ledningstab

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse

Relaterede links