Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

RS-varenummer:: 210-4979
Producentens varenummer:: SIHD11N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 36,98

(ekskl. moms)

Kr. 46,22

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 7,396	Kr. 36,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 210-4979
Producentens varenummer:: SIHD11N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Serie	E
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	391mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	78W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	28nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	9.4mm
	Højde	2.2mm
	Bredde	6.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Serie E
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 391mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 78W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 9.4mm
	Højde 2.2mm
	Bredde 6.4mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 78 W effekttab - SIHD11N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og koblingsanvendelser. Den fungerer over et meget bredt temperaturområde og er beregnet til krævende miljøer, hvor der kræves høj drain-source spændingshåndtering og moderat strømkapacitet, samtidig med at den overholder RoHS-begrænsninger.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingstopologier
• 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømkredsløb
• 391 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved nominel strøm
• 78 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 28 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig koblingsenergi
• 30 V portgrænse til standard portdrevspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til halvbro- og boost-konvertertrin
• Anvendes sammen med industrielle motordrev-frontender
• Kan bruges til offline-oplader og lysstyring
• Velegnet til telekommunikation og strømfordelingsmoduler

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?

Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering for at lette termisk kobling til printkortkobber.

Hvilket temperaturområde kan den modstå under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug under barske temperaturforhold.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding beregninger af effekttab?

en fremadgående spænding på 1,2 V skal medtages ved vurdering af ledningsførings- og koblingstab i diodeledende intervaller og synkrone arrangementer.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?

Den maksimale gate-source-spænding er 30 V, så gate-drivere og beskyttelse skal forhindre ekskursioner ud over denne værdi.