Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR680LDP Nej SIR680LDP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 869,90

(ekskl. moms)

Kr. 1.087,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
50 - 120Kr. 17,398
125 - 245Kr. 13,912
250 - 495Kr. 11,40
500 +Kr. 9,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-5003P
Producentens varenummer:
SIR680LDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

130A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR680LDP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.33mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

90nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype med 130 A drænstrøm.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links