DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6 A 100 V Forbedring, 12 Ben, VDFN, DMHT10H032LFJ AEC-Q100, AEC-Q200,
- RS-varenummer:
- 213-9147
- Producentens varenummer:
- DMHT10H032LFJ-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 135,91
(ekskl. moms)
Kr. 169,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.990 enhed(er) afsendes fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 13,591 | Kr. 135,91 |
| 50 - 90 | Kr. 13,322 | Kr. 133,22 |
| 100 - 240 | Kr. 11,886 | Kr. 118,86 |
| 250 - 990 | Kr. 11,646 | Kr. 116,46 |
| 1000 + | Kr. 9,507 | Kr. 95,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9147
- Producentens varenummer:
- DMHT10H032LFJ-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | VDFN | |
| Serie | DMHT10H032LFJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.033Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 64W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype VDFN | ||
Serie DMHT10H032LFJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.033Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 64W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMHT10H032LFJ serien er en N-kanal MOSFET i en H-bro konfiguration.
Høj konverteringseffektivitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 100 V Forbedring VDFN AEC-Q200,
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 46.2 A 40 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q100,
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 33 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 17.1 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 60 V Forbedring VDFN Nej
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 60 V Forbedring VDFN Nej DMT6018LDR-13
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 0.9 A 60 V Forbedring SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100 ZXMS6008DN8-13
