DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 1 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3190LDWQ AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.788,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.235,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 15.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,596Kr. 1.788,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
213-9185
Producentens varenummer:
DMN3190LDWQ-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

DMN3190LDWQ

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.19Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.4W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.9nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Længde

2.15mm

Højde

0.95mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex DMN3190LDWQ serien MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler.

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.