DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 1 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3190LDWQ AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.722,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.154,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,574Kr. 1.722,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
213-9185
Producentens varenummer:
DMN3190LDWQ-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

DMN3190LDWQ

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.19Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.9nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

0.4W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Bredde

2.1 mm

Højde

0.95mm

Længde

2.15mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex DMN3190LDWQ serien MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler.

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links