DiodesZetex 1 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 1 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 213-9185
- Producentens varenummer:
- DMN3190LDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.788,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.235,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 15.000 enhed(er) afsendes fra 16. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,596 | Kr. 1.788,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9185
- Producentens varenummer:
- DMN3190LDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN3190LDWQ | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.19Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.4W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Højde | 0.95mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Bredde | 2.1mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN3190LDWQ | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.19Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.4W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Højde 0.95mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Bredde 2.1mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMN3190LDWQ serien MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed