Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 950 V P, 3 Ben, TO-220, P7
- RS-varenummer:
- 217-2491
- Producentens varenummer:
- IPA95R750P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 480,20
(ekskl. moms)
Kr. 600,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,604 | Kr. 480,20 |
| 100 - 200 | Kr. 7,781 | Kr. 389,05 |
| 250 - 450 | Kr. 7,205 | Kr. 360,25 |
| 500 - 950 | Kr. 6,82 | Kr. 341,00 |
| 1000 + | Kr. 6,244 | Kr. 312,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2491
- Producentens varenummer:
- IPA95R750P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 29.75mm | |
| Længde | 10.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform P | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 29.75mm | ||
Længde 10.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon seneste 950V CoolMOS™ P7-serien sætter et nyt bordmærke i 950V super junction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med den art, der er mest brugervenlig, hvilket er resultatet af Infineons over 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi.
Klassens bedste FOMRDS (til) * Eoss; Reduceret QG, CISS og USS
Klassens bedste V (GS) TH på 3 V og mindste V (GS) TH variation på ±0,5 V.
Integreret Zener diode ESD-beskyttelse
Klassens bedste CoolMOS™-kvalitet og pålidelighed
Fuldt optimeret portefølje
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9 A 950 V P TO-220, P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 950 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V P TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Sæt_6W_13V_P7_950V MOSFET til 950 V CoolMOSTM P7 SJ MOSFET telekommunikation
- Infineon Type N-Kanal 4 A 950 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7