Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 107,05

(ekskl. moms)

Kr. 133,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 4,282Kr. 107,05

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2617
Elfa Distrelec varenummer:
304-39-419
Producentens varenummer:
IRFR220NTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

43W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

10.41mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 200V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et D-Pak-hus.

Planar cellestruktur for bred SOA

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Silicium optimeret til anvendelser, der skifter under <100 kHz

Industristandard overflademonteret strømpakke

Kan bølgelloddes

Relaterede links