Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2617
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-419
- Producentens varenummer:
- IRFR220NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 107,05
(ekskl. moms)
Kr. 133,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 16.750 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 4,282 | Kr. 107,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2617
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-419
- Producentens varenummer:
- IRFR220NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 200V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et D-Pak-hus.
Planar cellestruktur for bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Silicium optimeret til anvendelser, der skifter under <100 kHz
Industristandard overflademonteret strømpakke
Kan bølgelloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 5 A 200 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 24 A 200 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET