Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 58,40

(ekskl. moms)

Kr. 73,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 5,84Kr. 58,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3060
Producentens varenummer:
IPG20N10S436AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS-T2

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

36mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

43W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

5.15mm

Bredde

5.9 mm

Standarder/godkendelser

AEC Q101, RoHS

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens dobbelt N-kanal MOSFET til brug i biler. Det er muligt at udføre automatisk optisk inspektion (AOI).

Dobbelt N-kanal - forbedringstilstand

100 % lavine-testet

175 °C driftstemperatur

Relaterede links