Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOSª P7 Nej
- RS-varenummer:
- 218-3064
- Producentens varenummer:
- IPN70R600P7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.741,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.427,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 2,247 | Kr. 6.741,00 |
| 6000 + | Kr. 2,134 | Kr. 6.402,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3064
- Producentens varenummer:
- IPN70R600P7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | 700V CoolMOSª P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.9W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie 700V CoolMOSª P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.9W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V CoolMOS™ N-kanal power MOSFET. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme applikationer på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv. den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Superjunction MOSFET, kombineret med et fremragende pris/ydelsesforhold og det art brugervenlige niveau.
Ekstremt lave tab pga. meget lav FOM RDS(on) * QG og RDS(til) * Eoss
Fremragende termisk ydelse
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Lavt skiftetab (Eoss)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ P7 IPN70R600P7SATMA1
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ P7 IPA70R600P7SXKSA1
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ P7 IPD70R600P7SAUMA1
- Infineon N-Kanal 12 3 ben CoolMOS™ P7 IPN70R360P7SATMA1
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V SOT-223, CoolMOS™ P7 IPN70R900P7SATMA1
- Infineon N-Kanal 3 A 700 V SOT-223, CoolMOS™ P7 IPN70R2K0P7SATMA1
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ P7 IPS70R600P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 6 A 950 V SOT-223, CoolMOS™ P7 IPN95R1K2P7ATMA1
