STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK, SCTH40N Nej SCTH40N120G2V-7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 108,68

(ekskl. moms)

Kr. 135,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 994 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 108,68
5 - 9Kr. 103,30
10 - 24Kr. 100,23
25 - 49Kr. 97,76
50 +Kr. 95,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
219-4222
Producentens varenummer:
SCTH40N120G2V-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCTH40N

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

105mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

22 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

61nC

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.8 mm

Længde

10.4mm

Højde

15.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovative 2. Generation af SIC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Relaterede links