STMicroelectronics, MOSFET, 90 A 1200 V, 7 ben, H2PAK-7, SCTH70N SCTH70N120G2V-7

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
219-4224
Producentens varenummer:
SCTH70N120G2V-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Drain-strøm kontinuerlig maks.

90 A

Drain source spænding maks.

1200 V

Serie

SCTH70N

Kapslingstype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks.

0,21 O

Maks. tærskelspænding for port

4.9V

Antal elementer per chip

1

STMicroelectronics siliciumkarbid power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovative 2. Generation af SIC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Relaterede links