DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2826
- Producentens varenummer:
- DMN2053UVTQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.181,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.727,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,727 | Kr. 2.181,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2826
- Producentens varenummer:
- DMN2053UVTQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | TSOT-26 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.035Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype TSOT-26 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.035Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav indgangs-/udgangslækage
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben DMN DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 3 6 ben, TSOT-26 DMC3071LVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben DMN DMN3061LCA3-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 A 20 V TSOT-26 DMN2024UVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 6 ben, TSOT-26 DMG6402LVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben, TSOT-26 DMN4060SVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 3 6 ben DMN3061 DMN3061SVT-7
- DiodesZetex DMN61D8LVT-7 630 mA 6 Ben, TSOT-26
