Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R Nej IPL60R065C7AUMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 77,66

(ekskl. moms)

Kr. 97,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 38,83Kr. 77,66
10 - 18Kr. 33,81Kr. 67,62
20 - 48Kr. 31,455Kr. 62,91
50 - 98Kr. 29,51Kr. 59,02
100 +Kr. 27,19Kr. 54,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4909
Producentens varenummer:
IPL60R065C7AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

ThinPAK

Serie

IPD50R

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Effektafsættelse maks. Pd

180W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

68nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Længde

8.1mm

Bredde

8.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.

Reducerede omskiftetabsparametre som f.eks. Q G, C oss, E oss

Klassens bedste figure of merit Q G*R DS(on)

Forøget switching-frekvens

Bedste R (on)*A i verden

Diode med robust hus

Relaterede links