Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, IPT60R

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 85,12

(ekskl. moms)

Kr. 106,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 85,12
5 - 9Kr. 80,78
10 - 24Kr. 79,14
25 - 49Kr. 74,05
50 +Kr. 68,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4938
Producentens varenummer:
IPT60R028G7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

HSOF

Serie

IPT60R

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

28mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

391W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

123nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.4mm

Bredde

10.58 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET-serien (G7) samler fordelene ved den forbedrede 600V CoolMOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift, som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC) på op til 3 kW og for resonanskredsløb som f.eks. High end LLC.

Giver klassens bedste FOM R DS(on)XE oss og R DS(on)XQ G

Muliggør klassens bedste R DS (ON) i det mindste format

Relaterede links