Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, IPT60R Nej IPT60R080G7XTMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 96,15

(ekskl. moms)

Kr. 120,188

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.982 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 48,075Kr. 96,15
10 - 18Kr. 41,325Kr. 82,65
20 - 48Kr. 38,41Kr. 76,82
50 - 98Kr. 36,055Kr. 72,11
100 +Kr. 33,175Kr. 66,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4940
Producentens varenummer:
IPT60R080G7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

HSOF

Serie

IPT60R

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bredde

10.58 mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET-serien (G7) samler fordelene ved den forbedrede 600V CoolMOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift, som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC) på op til 3 kW og for resonanskredsløb som f.eks. High end LLC.

Giver klassens bedste FOM R DS(on)XE oss og R DS(on)XQ G

Muliggør klassens bedste R DS (ON) i det mindste format

Relaterede links