Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, IPT60R

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 79,74

(ekskl. moms)

Kr. 99,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.982 enhed(er) afsendes fra 10. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 39,87Kr. 79,74
10 - 18Kr. 34,295Kr. 68,59
20 - 48Kr. 31,865Kr. 63,73
50 - 98Kr. 29,885Kr. 59,77
100 +Kr. 27,525Kr. 55,05

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4940
Producentens varenummer:
IPT60R080G7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

HSOF

Serie

IPT60R

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.1mm

Bredde

10.58 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET-serien (G7) samler fordelene ved den forbedrede 600V CoolMOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift, som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC) på op til 3 kW og for resonanskredsløb som f.eks. High end LLC.

Giver klassens bedste FOM R DS(on)XE oss og R DS(on)XQ G

Muliggør klassens bedste R DS (ON) i det mindste format

Relaterede links