Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, IPT60R Nej IPT60R080G7XTMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 96,15

(ekskl. moms)

Kr. 120,188

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.982 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 48,075Kr. 96,15
10 - 18Kr. 41,325Kr. 82,65
20 - 48Kr. 38,41Kr. 76,82
50 - 98Kr. 36,055Kr. 72,11
100 +Kr. 33,175Kr. 66,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4940
Producentens varenummer:
IPT60R080G7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

HSOF

Serie

IPT60R

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bredde

10.58 mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET-serien (G7) samler fordelene ved den forbedrede 600V CoolMOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift, som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC) på op til 3 kW og for resonanskredsløb som f.eks. High end LLC.

Giver klassens bedste FOM R DS(on)XE oss og R DS(on)XQ G

Muliggør klassens bedste R DS (ON) i det mindste format

Relaterede links