Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS127I
- RS-varenummer:
- 225-0558
- Producentens varenummer:
- BSS127IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 1.632,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.040,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,544 | Kr. 1.632,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,516 | Kr. 1.548,00 |
| 15000 + | Kr. 0,484 | Kr. 1.452,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0558
- Producentens varenummer:
- BSS127IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS127I | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.65nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS127I | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.65nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.7mm | ||
Højde 1.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BSS127I seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 21 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS127IXTSA1
Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til generel omskiftning i overflademonterede anvendelser over et bredt omgivelsesområde. Den er beregnet til kredsløb, der kræver en højspændingstransistor med beskeden strømkapacitet og et standard 3-benet SOT-23-hus til integration på kortniveau.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-tolerance muliggør højspændingskoblingsevne
• 0.5 W effekttab begrænser termisk belastning i trange konstruktioner
• 21 mA kontinuerlig afløbsstrøm er velegnet til lavstrøms-signalomskiftning
• 0.65 nC portladning understøtter hurtigere portovergange med lavt drev
• 600 Ω drain-source-modstand giver forudsigelig lækage i slukket tilstand
• 20 V portklassificering muliggør interface med almindelige logikniveaudrivere
• 0.5 W effekttab begrænser termisk belastning i trange konstruktioner
• 21 mA kontinuerlig afløbsstrøm er velegnet til lavstrøms-signalomskiftning
• 0.65 nC portladning understøtter hurtigere portovergange med lavt drev
• 600 Ω drain-source-modstand giver forudsigelig lækage i slukket tilstand
• 20 V portklassificering muliggør interface med almindelige logikniveaudrivere
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af højspændingssignaler i styringskredsløb
• Ideel til strømstyring med lav strømstyrke af relæer og magnetventiler
• Anvendes sammen med logikdrivere, hvor lav gate-ladning reducerer tab
• Kan bruges til printkortmonterede niveauskift- og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til kompakte overflademonterede moduler, der kræver små pakker
• Ideel til strømstyring med lav strømstyrke af relæer og magnetventiler
• Anvendes sammen med logikdrivere, hvor lav gate-ladning reducerer tab
• Kan bruges til printkortmonterede niveauskift- og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til kompakte overflademonterede moduler, der kræver små pakker
Hvilket temperaturområde kan den tåle i industrielle miljøer?
Den fungerer pålideligt fra -55 °C op til 150 °C.
Hvordan påvirker enhedens diode-relaterede egenskaber design?
Tærsklen for fremadgående ledning er 1,2 V, hvilket informerer om diodeledningshensyn i kredsløb.
Hvilke hensyn til montering og antal ben skal designere tage hensyn til?
Den leveres i en SOT-23 udformning til overflademontering med tre ben til nem placering af printkort.
Hvordan påvirker transistors husstørrelse layouttætheden?
Pakken måler 6,7 x 3,7 x 1,8 mm, hvilket giver mulighed for kompakt placering, samtidig med at der opretholdes termiske begrænsninger.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, BSS127I
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS®
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 5.8 A 25 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 4.1 A 20 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SN7002I
- Infineon N-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET