Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1835
- Producentens varenummer:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 97,84
(ekskl. moms)
Kr. 122,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.430 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,784 | Kr. 97,84 | - |
| 50 - 90 | Kr. 9,298 | Kr. 92,98 | 4% |
| 100 - 240 | Kr. 8,901 | Kr. 89,01 | 9% |
| 250 - 490 | Kr. 8,52 | Kr. 85,20 | 12% |
| 500 + | Kr. 7,929 | Kr. 79,29 | 18% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1835
- Producentens varenummer:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 85A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 85A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanal logikniveau MOSFET, der bruges til brug i biler. Den har de laveste skift- og ledningstab for at opnå den højeste termiske effektivitet. Det er robuste huse med overlegen kvalitet og pålidelighed.
Den overholder RoHS og er AEC-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 grader C.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 85 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -73 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101