Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 100 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 57,78

(ekskl. moms)

Kr. 72,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.915 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,556Kr. 57,78
50 - 120Kr. 10,412Kr. 52,06
125 - 245Kr. 9,694Kr. 48,47
250 - 495Kr. 9,036Kr. 45,18
500 +Kr. 8,318Kr. 41,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
232-6778
Producentens varenummer:
ISZ0804NLSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

15.5mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Bredde

1.1 mm

Højde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineons OptiMOS PD effekt MOSFET 100 V er designet til USB-PD og adapteranvendelser. Det er PQFN 3,3x3.3-hus, der giver hurtig øgning og optimerede gennemløbstider. OptiMOS lavspændings MOSFET'er til levering af strøm muliggør design med færre dele, der fører til reduktion af BOM-omkostninger. OptiMOS PD indeholder kvalitetsprodukter i kompakte, lette pakker.

Tilgængelighed på logikniveau

Fremragende termisk ydelse

100 % avalanche-testet

Relaterede links