onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 68 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247, NTH Nej NTH4L022N120M3S

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 101,58

(ekskl. moms)

Kr. 126,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 283 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 101,58
10 +Kr. 87,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-6854
Producentens varenummer:
NTH4L022N120M3S
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

68A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

NTH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

30mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

325W

Portkildespænding maks.

-0.45 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

151nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.8mm

Højde

41.36mm

Bredde

5.2 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L


ON Semiconductor NTH4L022N120M3S er SiC-effekt, enkelt N-kanal MOSFET. Den fås i et TO247-4L-hus. NTH4L022N120M3S, der har en drænstrøm på 1200 V og en kontinuerlig drænstrøm på 68 A, bruges i anvendelser som solinvertere, opladningsstationer til elektriske køretøjer, UPS (nødstrømsforsyninger), energilagringssystemer, SMPS (switch-mode strømforsyninger).

Den typiske RDS(on) for denne enhed er 22 mꭥ med VGS på 18 V.

Enheden giver lave tab ved skift

Det er 100% lavine-testet

Relaterede links