Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3.9 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- RS-varenummer:
- 235-4877
- Producentens varenummer:
- ISP16DP10LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 27,83
(ekskl. moms)
Kr. 34,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 990 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 5,566 | Kr. 27,83 |
| 50 - 120 | Kr. 4,742 | Kr. 23,71 |
| 125 - 245 | Kr. 4,398 | Kr. 21,99 |
| 250 - 495 | Kr. 4,114 | Kr. 20,57 |
| 500 + | Kr. 3,784 | Kr. 18,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4877
- Producentens varenummer:
- ISP16DP10LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | ISP | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.38Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie ISP | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.38Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 100 V i SOT-223 hus repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den er tilgængelig på normalt niveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger på grund af lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Lavinerobusthed
Overflademonteret hus i industristandard
Robust, pålidelig ydeevne
Øget forsyningssikkerhed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 3.9 A 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 1.55 A 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 990 mA 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 1.29 A 150 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal -2.8 A 40 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.8 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 3.7 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101