Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0 Nej BSC018NE2LSIATMA1
- RS-varenummer:
- 241-9668
- Producentens varenummer:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 41,14
(ekskl. moms)
Kr. 51,425
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 8,228 | Kr. 41,14 |
| 25 - 45 | Kr. 7,78 | Kr. 38,90 |
| 50 - 120 | Kr. 7,046 | Kr. 35,23 |
| 125 - 245 | Kr. 6,344 | Kr. 31,72 |
| 250 + | Kr. 6,014 | Kr. 30,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9668
- Producentens varenummer:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 381A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSC0 | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 381A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSC0 | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET has 25 V drain source voltage (VDS) & 153 A drain current (ID). Ultra lav gate og udgangsladestrøm, sammen med laveste modstand i ledetilstand i små huse, gør OptiMOS™ 25 V til det bedste valg til de skrappe krav fra spændingsregulatorløsninger i servere, datakommunikation og telekommunikation. It saves overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters and reduce power losses and increase efficiency for all load conditions.
Optimized for high performance buck converter
Monolithic integrated schottky like diode
Very low on-resistance RDS(on)@VGS = 4.5V
100 % avalanche-testet
, 4 (N-kanal)
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 153 A 25 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC018NE2LSIATMA1
- Infineon N-Kanal 82 A 25 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC026NE2LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 147 A 25 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC015NE2LS5IATMA1
- Infineon N-Kanal 223 A 25 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5IATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 95 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC052N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 226 A. 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC021N08NS5ATMA1