STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 248-9688
- Producentens varenummer:
- STP65N045M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 2.928,40
(ekskl. moms)
Kr. 3.660,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 58,568 | Kr. 2.928,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-9688
- Producentens varenummer:
- STP65N045M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 28.9mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 28.9mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics-produktet er en N-kanal effekt MOSFET baseret på den mest innovative MDmesh DM9-teknologi med superkobling, der er velegnet til mellemstore eller højspændings MOSFET'er med meget lav RDS til pr. område kombineret med en hurtig gendannelsesdiode. Silicon-baseret DM9-teknologi drager fordel af en multi-drain produktionsproces, der giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de lavere værdier for modstand og reduceret gate-opladning blandt alle silikonebaserede MOSFET'er med hurtig switching superjunction power, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet.
Verdens bedste FOM RDS på QG blandt silikonebaserede enheder
Højere VDSS-klassificering
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende skifteevne
Nem at køre
100 procent lavine testet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-220, STP AEC-Q101 STP65N045M9
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-220, STP AEC-Q101 STP80N240K6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-220, STP AEC-Q101 STP60N043DM9
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101 SCT018W65G3-4AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT018H65G3AG