Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Udtømning, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101 BSP149H6906XTSA1
- RS-varenummer:
- 250-0532
- Producentens varenummer:
- BSP149H6906XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 26,55
(ekskl. moms)
Kr. 33,188
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 8.706 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,275 | Kr. 26,55 |
| 20 - 48 | Kr. 11,745 | Kr. 23,49 |
| 50 - 98 | Kr. 10,845 | Kr. 21,69 |
| 100 - 198 | Kr. 10,175 | Kr. 20,35 |
| 200 + | Kr. 9,46 | Kr. 18,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0532
- Producentens varenummer:
- BSP149H6906XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør N-kanals nedbrydningstilstand MOSFET-transistor med lille signal udbredt til anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Den er dv/dt-klassificeret og fås med VGS(th)-indikator på hjul. VDS er 200 V, RDS(on) maks. er 3,5 Ω, mens IDSS, min er 0,14 A.
Blyfri blybelægning og halogenfri
Den kommer i en SOT233
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223 BSP149H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223, SIPMOS® BSP297H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP149H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP297H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP149H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 370 mA 20 V SOT-223 BSR802NL6327HTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223 BSP125H6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 680 mA 100 V SOT-223 BSP316PH6327XTSA1
