Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -2.8 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101 ISP25DP06LMSATMA1
- RS-varenummer:
- 250-0566
- Producentens varenummer:
- ISP25DP06LMSATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 22,59
(ekskl. moms)
Kr. 28,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.930 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 4,518 | Kr. 22,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0566
- Producentens varenummer:
- ISP25DP06LMSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -2.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -2.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er med små signaler 60V i SOT-223-pakken er den nye teknologi, der er målrettet til forbrugerapplikationer. Den største fordel ved en P-kanal lille signalenhed er reduktionen af designkompleksiteten i anvendelser med mellem og lav effekt.
Nem interface til MCU
Hurtigt skift
Lavinerobusthed
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 190 mA 60 V SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Depletion SOT-223, OptiMOS™ BSS123IXTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben, SOT-223 ISP75DP06LMXTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben, SOT-223 ISP25DP06LMXTSA1
- Infineon P-Kanal 3 3 ben, SOT-223 ISP650P06NMXTSA1
- Infineon P-Kanal 2 3 ben, SOT-223 ISP12DP06NMXTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben, SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1
- DiodesZetex P-Kanal 450 mA 60 V SOT-223 ZVP2106GTA
