Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 40 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101

RS-varenummer:: 252-0264
Producentens varenummer:: SIHK055N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 40 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101

Kan ikke leveres i øjeblikket

Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.

RS-varenummer:: 252-0264
Producentens varenummer:: SIHK055N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	EF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.05mΩ
	Kanalform	Udtømning
	Effektafsættelse maks. Pd	236W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	90nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Bredde	5.15mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	6.15mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie EF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.05mΩ
	Kanalform Udtømning
	Effektafsættelse maks. Pd 236W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Bredde 5.15mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 6.15mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Vishay EF seriens Power MOSFET, 650 V drain source spænding, 40 A drain strøm - SIHK055N60EF-T1GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor beregnet til krævende strømkonverterings- og styringsmiljøer. Det er en overflademonteret N-kanal-udtømningsenhed, der fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til anvendelser, der kræver højspændingshåndtering, betydelig kontinuerlig strøm og kontrolleret gate-drive-adfærd.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 40 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.05 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab ved høje strømme
• 90 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi
• 236 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• 20 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener

Anvendelser

• Anvendes sammen med industrielle strømomformere og invertere
• Velegnet til højspændingsmotordrevstrin
• Ideel til DC/DC-konvertering i kraftige systemer
• Kan bruges til trækkraft- eller bilstrømmoduler
• Anvendes til højtydende omskifterarray i energisystemer

Hvilke termiske ekstremer kan enheden modstå under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor temperaturvariation.

Hvordan monteres komponenten på et kort, og hvilken pakke leveres?

Enheden leveres i en PowerPAK 10x12-pakke til overflademontering, der er designet til printkortmontering med lav induktans og effektiv termisk kontakt.

Hvilken lovgivningsmæssig eller industriel beredskab tilbyder den til brug i biler?

Den opfylder AEC-Q101-kravene til halvlederkvalifikation, der er velegnet til elektroniske systemer i biler.

Hvilket antal ben skal designere forvente, når de skaber printkortfodaftryk?

Komponenten har et 8-benet layout, som skal placeres i printkortets jordmønster for korrekt placering og routing.