Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 19 A 55 V, 3 Ben, TO-252 Nej IRF9Z34SPBF
- RS-varenummer:
- 256-7281
- Producentens varenummer:
- IRF9Z34SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 100,38
(ekskl. moms)
Kr. 125,475
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 985 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 20,076 | Kr. 100,38 |
| 10 - 20 | Kr. 18,042 | Kr. 90,21 |
| 25 - 95 | Kr. 17,682 | Kr. 88,41 |
| 100 - 495 | Kr. 14,616 | Kr. 73,08 |
| 500 + | Kr. 12,028 | Kr. 60,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7281
- Producentens varenummer:
- IRF9Z34SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductors tredje generation af power mosfets benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tændt pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som Power Mosfets er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. D2PAK er et effektpakke til overflademontering, der er i stand til at rumme matrixstørrelser op til HEX-4.
Avanceret procesteknologi
Overflademontering
175 °C driftstemperatur
Hurtig omskiftning
P-kanal
Fuldt lavineret
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 19 A 55 V, DPAK (TO-252) IRF9Z34SPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
- DiodesZetex P-Kanal 55 A 40 V DPAK (TO-252) DMPH4013SK3Q-13
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF
- Infineon P-Kanal 18 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5505TRLPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TR
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), IRFR5305PBF IRFR5305TRLPBF
- onsemi P-Kanal 55 A 35 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD6637
