Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101 AUIRFR5305TRL
- RS-varenummer:
- 223-8457
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5305TRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 99,39
(ekskl. moms)
Kr. 124,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 11.615 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 19,878 | Kr. 99,39 |
| 25 - 45 | Kr. 17,294 | Kr. 86,47 |
| 50 - 120 | Kr. 16,306 | Kr. 81,53 |
| 125 - 245 | Kr. 15,08 | Kr. 75,40 |
| 250 + | Kr. 14,108 | Kr. 70,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-8457
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5305TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 1-kanals HEXFET effekt MOSFET til brug i biler i et D2-pak hus. Det cellulære design af effekt-MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde. Den bruges i biler og til en lang række anvendelser på grund af hurtig koblingshastighed og robust enhed.
Advanced Planar-teknologi
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 °C driftstemperatur
Hurtigt skift
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TR
- Infineon P-Kanal 18 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5505TRLPBF
- Infineon P-Kanal 20 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR9343TRPBF
- Infineon P-Kanal 18 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5505TRPBF
- Infineon P-Kanal 11 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR9024NTRPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), IRFR5305PBF IRFR5305TRLPBF
