Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS

RS-varenummer:: 256-7346
Producentens varenummer:: SI2329DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 256-7346
Producentens varenummer:: SI2329DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-6A
	Drain source spænding maks. Vds	-8V
	Serie	Si2329DS
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.12Ω
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	19.3nC
	Portkildespænding maks.	5V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	2.5W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21, RoHS
	Bredde	1.4mm
	Længde	3.04mm
	Højde	1.12mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6A
	Drain source spænding maks. Vds -8V
	Serie Si2329DS
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.12Ω
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.3nC
	Portkildespænding maks. 5V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 2.5W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS
	Bredde 1.4mm
	Længde 3.04mm
	Højde 1.12mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SI2329DS-T1-GE3

Vishay Si2329DS seriens MOSFET, 2,5 W maksimal effekttab, 0,12 Ω maksimal drain source-modstand - SI2329DS-T1-GE3

Denne p-kanal MOSFET er en kompakt overflademonteret transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver lav modstand ved tænding, moderat strømhåndtering og standard gate-drive-niveauer i små SOT-23-pakker.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding Rds(on) 0,12 Ω muliggør reducerede ledningstab
• Nominel kontinuerlig afløbsstrøm 6 A understøtter højere belastningsstrømme
• Maks. effekttab på 2,5 W muliggør vedvarende koblingsfunktion
• Gate charge Qg 19,3 nC muliggør relativt hurtig skifteydeevne
• Gate-source mærkespænding 5 V muliggør gate-drev på standard logikniveau
• Driftsområde -55 °C til 150 °C sikrer bred temperaturtolerance

Anvendelser

• Velegnet til batteribeskyttelseskredsløb i bærbare enheder
• Ideel til strømstyring i kompakt forbrugerelektronik
• Anvendes til belastningsswitching i ikke-certificerede systemer, der støder op til biler
• Kan bruges til high-side-switching i DC-strømskinner
• Velegnet til overflademonterede konstruktioner, der kræver SOT-23-footprint

Hvilken monteringsmetode er nødvendig til samling?

Det er en overflademonteret enhed i et SOT-23-hus, der er beregnet til reflow-lodning på printkort.

Hvilken polaritet og spænding håndterer enheden på drain-kilden?

Enheden er en P-kanaltype, der er specificeret til en maksimal drain-source-spænding på -8 V, når den bruges inden for mærkeværdierne.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne layouthensyn?

Med en maksimal dissipation på 2,5 W bør printkortkobberareal og termiske ledninger tilvejebringes for at sprede varme og opretholde samletemperatur under kraftig belastning.

Er der begrænsninger for gate-drive-amplituder?

Det maksimale gate-kilde-differential er 5 V, så gate-drivere må ikke overstige denne spænding for at undgå skader.