Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 79,45

(ekskl. moms)

Kr. 99,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.725 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 3,178Kr. 79,45
50 - 75Kr. 3,115Kr. 77,88
100 - 225Kr. 2,381Kr. 59,53
250 - 975Kr. 2,33Kr. 58,25
1000 +Kr. 1,446Kr. 36,15

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
256-7347
Producentens varenummer:
SI2329DS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-6A

Drain source spænding maks. Vds

-8V

Emballagetype

SOT-23

Serie

Si2329DS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.12Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.3nC

Portkildespænding maks.

5V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Højde

1.12mm

Bredde

1.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Si2329DS seriens MOSFET, 2,5 W maksimal effekttab, 0,12 Ω maksimal drain source-modstand - SI2329DS-T1-GE3


Denne p-kanal MOSFET er en kompakt overflademonteret transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver lav modstand ved tænding, moderat strømhåndtering og standard gate-drive-niveauer i små SOT-23-pakker.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding Rds(on) 0,12 Ω muliggør reducerede ledningstab
• Nominel kontinuerlig afløbsstrøm 6 A understøtter højere belastningsstrømme
• Maks. effekttab på 2,5 W muliggør vedvarende koblingsfunktion
• Gate charge Qg 19,3 nC muliggør relativt hurtig skifteydeevne
• Gate-source mærkespænding 5 V muliggør gate-drev på standard logikniveau
• Driftsområde -55 °C til 150 °C sikrer bred temperaturtolerance

Anvendelser


• Velegnet til batteribeskyttelseskredsløb i bærbare enheder
• Ideel til strømstyring i kompakt forbrugerelektronik
• Anvendes til belastningsswitching i ikke-certificerede systemer, der støder op til biler
• Kan bruges til high-side-switching i DC-strømskinner
• Velegnet til overflademonterede konstruktioner, der kræver SOT-23-footprint

Hvilken monteringsmetode er nødvendig til samling?


Det er en overflademonteret enhed i et SOT-23-hus, der er beregnet til reflow-lodning på printkort.

Hvilken polaritet og spænding håndterer enheden på drain-kilden?


Enheden er en P-kanaltype, der er specificeret til en maksimal drain-source-spænding på -8 V, når den bruges inden for mærkeværdierne.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne layouthensyn?


Med en maksimal dissipation på 2,5 W bør printkortkobberareal og termiske ledninger tilvejebringes for at sprede varme og opretholde samletemperatur under kraftig belastning.

Er der begrænsninger for gate-drive-amplituder?


Det maksimale gate-kilde-differential er 5 V, så gate-drivere må ikke overstige denne spænding for at undgå skader.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.