Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS Nej SI2329DS-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7347
- Producentens varenummer:
- SI2329DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 87,825
(ekskl. moms)
Kr. 109,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,513 | Kr. 87,83 |
| 50 - 75 | Kr. 3,444 | Kr. 86,10 |
| 100 - 225 | Kr. 2,627 | Kr. 65,68 |
| 250 - 975 | Kr. 2,573 | Kr. 64,33 |
| 1000 + | Kr. 1,598 | Kr. 39,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7347
- Producentens varenummer:
- SI2329DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -8V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2329DS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.12Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6A | ||
Drain source spænding maks. Vds -8V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2329DS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.12Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.3nC | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Højde 1.12mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor P-kanal 8 V 6 A (Tc) 2,5 W (Tc) overflademonteret SOT-23-3 (TO-236) halogenfri i overensstemmelse med IEC 61249-2-21 definition.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg testet
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2002/95/EF
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 6 A 8 V, SOT-23-3 (TO-236) SI2329DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 SOT-23 SI2393DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 A 12 V SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 1.2 A 60 V SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
