Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS
- RS-varenummer:
- 256-7347
- Producentens varenummer:
- SI2329DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 99,325
(ekskl. moms)
Kr. 124,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,973 | Kr. 99,33 |
| 50 - 75 | Kr. 3,892 | Kr. 97,30 |
| 100 - 225 | Kr. 2,974 | Kr. 74,35 |
| 250 - 975 | Kr. 2,911 | Kr. 72,78 |
| 1000 + | Kr. 1,807 | Kr. 45,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7347
- Producentens varenummer:
- SI2329DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -8V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2329DS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.12Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6A | ||
Drain source spænding maks. Vds -8V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2329DS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.12Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.3nC | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bredde 1.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Si2329DS seriens MOSFET, -8 V maksimal drain-kilde spænding, 0,12 Ω maksimal drain-kilde modstand - SI2329DS-T1-GE3
Denne p-kanal MOSFET fungerer som en kompakt, overflademonteret koblingsenhed til lavspændingselektronik. Den er beregnet til anvendelser, der kræver effektiv P-kanalstyring i kompakte layouter, og fungerer i et negativt drain-kilde-spændingsmiljø, der er typisk for P-type switche. Enheden leveres i en SOT-23-pakke med tre ledninger, der er velegnet til tætte kortsamlinger.
Egenskaber og fordele:
• Lav modstand ved tænding ved 0,12 Ω, der giver reducerede ledningstab
• Kontinuerlig afløbsstrøm mærket til 6 A, der understøtter moderate belastningsstrømme
• Maksimal drain-kilde-spænding på -8 V giver mulighed for lavspændingsswitching
• Porttolerance op til 5 V for nem kompatibilitet med portdrev
• Typisk gate-opladning 19,3 nC, der giver hurtig omskiftning med lavere drevenergi
• Effekttab på 2,5 W muliggør vedvarende omskiftning under belastning
• Kontinuerlig afløbsstrøm mærket til 6 A, der understøtter moderate belastningsstrømme
• Maksimal drain-kilde-spænding på -8 V giver mulighed for lavspændingsswitching
• Porttolerance op til 5 V for nem kompatibilitet med portdrev
• Typisk gate-opladning 19,3 nC, der giver hurtig omskiftning med lavere drevenergi
• Effekttab på 2,5 W muliggør vedvarende omskiftning under belastning
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af høj sidebelastning i strømskinner
• Ideel til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Anvendes sammen med niveauvekslere i styringssystemer med blandet spænding
• Kan bruges til beskyttelse mod omvendt polaritet eller omvendt strøm
• Velegnet til kompakte strømfordelingsmoduler i automatiseringsudstyr
• Ideel til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Anvendes sammen med niveauvekslere i styringssystemer med blandet spænding
• Kan bruges til beskyttelse mod omvendt polaritet eller omvendt strøm
• Velegnet til kompakte strømfordelingsmoduler i automatiseringsudstyr
Hvilket driftstemperaturområde kan jeg forvente for pålidelig drift?
Komponenten er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med koldstart og forhøjet temperatur.
Hvordan påvirker valget af pakke den termiske ydeevne?
SOT-23-pakken til overflademontering og 2,5 W mærkeværdi for tab kræver omhyggeligt termisk design på printkort og termiske kanaler for at opretholde samlingstemperaturen under kontinuerlig belastning.
Hvilke mekaniske overvejelser er relevante for tætte samlinger?
Med en minimal højde på 1,12 mm og små plandimensioner muliggør enheden snæver placering af komponenter, samtidig med at den bevarer enkelheden af trebenet tilslutning.
Hvilke standarder eller materialekrav er opfyldt for konstruktioner, der overholder forskrifter?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og overholder IEC 61249-2-21-materialspecifikationer for kompatibilitet med laminat til trykte kredsløb.
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal -6 A -8 V SOT-23, Si2329DS
- Vishay P-kanal-Kanal -3.1 A -20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 6.1 A 30 V SOT-23
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2301CDS
