Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Forbedring, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD85P04P407ATMA2

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 21,69

(ekskl. moms)

Kr. 27,112

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.580 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 10,845Kr. 21,69
20 - 48Kr. 9,835Kr. 19,67
50 - 98Kr. 9,125Kr. 18,25
100 - 198Kr. 8,49Kr. 16,98
200 +Kr. 7,815Kr. 15,63

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3867
Producentens varenummer:
IPD85P04P407ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-85A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

7.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, DIN IEC 68-1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links