Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 100 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3969
- Producentens varenummer:
- IRFH5053TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 25.400,00
(ekskl. moms)
Kr. 31.760,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 6,35 | Kr. 25.400,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3969
- Producentens varenummer:
- IRFH5053TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Hus til overflademontering i industristandard
industristandard kvalifikationsniveau
Standardbenkobling giver mulighed for drop-in-udskiftning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 46 A 100 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.2 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 259 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET
