Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 100 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET Nej IRFH5053TRPBF
- RS-varenummer:
- 258-3970
- Producentens varenummer:
- IRFH5053TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 27,45
(ekskl. moms)
Kr. 34,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.468 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,725 | Kr. 27,45 |
| 20 - 48 | Kr. 11,97 | Kr. 23,94 |
| 50 - 98 | Kr. 11,145 | Kr. 22,29 |
| 100 - 198 | Kr. 10,395 | Kr. 20,79 |
| 200 + | Kr. 9,61 | Kr. 19,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3970
- Producentens varenummer:
- IRFH5053TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Hus til overflademontering i industristandard
industristandard kvalifikationsniveau
Standardbenkobling giver mulighed for drop-in-udskiftning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 46 A 100 V PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 3.2 A 100 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET Nej IRLH5030TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 3.2 A 100 V HEXFET Nej IRFHM3911TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 40 A 20 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET Nej
