STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Forbedring, Tape og rulle Nej
- RS-varenummer:
- 261-5044
- Producentens varenummer:
- STD80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 36.710,00
(ekskl. moms)
Kr. 45.887,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 14,684 | Kr. 36.710,00 |
| 5000 + | Kr. 14,317 | Kr. 35.792,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5044
- Producentens varenummer:
- STD80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | Tape og rulle | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype Tape og rulle | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højspændings N-kanals effekt MOSFET er konstrueret med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ egenudviklet vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af modstand ved tænding og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste RDS(on) x område
Verdens bedste FOM (fortjeneste)
Meget lav gate-opladning
100 procent lavintestet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V Forbedring, Tape og rulle Nej STD80N450K6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V Forbedring Tape og rulle Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V Forbedring Tape og rulle Nej SCT040HU65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring Tape og rulle Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring Tape og rulle Nej SCT055HU65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 1200 V Forbedring Tape og rulle Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 1200 V Forbedring Tape og rulle Nej STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK Nej
