Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 61,19

(ekskl. moms)

Kr. 76,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,119Kr. 61,19
100 - 240Kr. 5,804Kr. 58,04
250 - 490Kr. 5,565Kr. 55,65
500 - 990Kr. 5,326Kr. 53,26
1000 +Kr. 3,366Kr. 33,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-5867
Producentens varenummer:
IPD038N06NF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanals effekttransistor er optimeret til en bred vifte af anvendelser, og den er 100 procent lavine-testet.

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.