Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 52,51

(ekskl. moms)

Kr. 65,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.760 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,502Kr. 52,51
50 - 120Kr. 9,544Kr. 47,72
125 - 245Kr. 8,916Kr. 44,58
250 - 495Kr. 8,288Kr. 41,44
500 +Kr. 5,266Kr. 26,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6768
Producentens varenummer:
IRFR2607ZTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.

Meget lav modstand ved tændt

Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax

Relaterede links