Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 52,51

(ekskl. moms)

Kr. 65,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,502Kr. 52,51
50 - 120Kr. 9,544Kr. 47,72
125 - 245Kr. 8,916Kr. 44,58
250 - 495Kr. 8,288Kr. 41,44
500 +Kr. 5,266Kr. 26,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6768
Producentens varenummer:
IRFR2607ZTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.

Meget lav modstand ved tændt

Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax

Relaterede links