Infineon N-Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, IPB057N06N
- RS-varenummer:
- 273-2998
- Producentens varenummer:
- IPB057N06NATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 79,44
(ekskl. moms)
Kr. 99,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 945 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,888 | Kr. 79,44 |
| 50 - 95 | Kr. 14,736 | Kr. 73,68 |
| 100 - 245 | Kr. 13,00 | Kr. 65,00 |
| 250 - 495 | Kr. 12,552 | Kr. 62,76 |
| 500 + | Kr. 11,056 | Kr. 55,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2998
- Producentens varenummer:
- IPB057N06NATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-TO263-3 | |
| Serie | IPB057N06N | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -5°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 40mm | |
| Længde | 40mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-TO263-3 | ||
Serie IPB057N06N | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -5°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 40mm | ||
Længde 40mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET er optimeret til synkron rettelse i strømforsyninger i skiftet tilstand (SMPS) som dem, der findes i servere og stationære computere og tabletopladere. Desuden er disse enheder et perfekt valg til en bred vifte af industrielle anvendelser
Højeste systemeffektivitet
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Reduktion af systemomkostninger
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 45 A 60 V Forbedring PG-TO263-3, IPB057N06N
- Infineon N-Kanal 45 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 134 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N-Kanal 39 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N-Kanal 122 A 30 V Forbedring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-Kanal 119 A 30 V Forbedring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-Kanal 125 A 30 V Forbedring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
