Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- RS-varenummer:
- 273-5359
- Producentens varenummer:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 62,38
(ekskl. moms)
Kr. 77,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 90 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,476 | Kr. 62,38 |
| 50 - 495 | Kr. 10,398 | Kr. 51,99 |
| 500 - 995 | Kr. 8,916 | Kr. 44,58 |
| 1000 - 2495 | Kr. 8,766 | Kr. 43,83 |
| 2500 + | Kr. 8,558 | Kr. 42,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5359
- Producentens varenummer:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | ISZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TSDSON-8FL | ||
Serie ISZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | ||
Infineon Power MOSFET er en optimeret til højtydende buck-konverter. Denne effekt-MOSFET har en fremragende gate-opladning. Den har meget lav modstand ved tænding og er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC-standarden.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 72 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Type N-Kanal 142 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 106 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS