Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V N, 3 Ben, PG-TO-220, OptiMOS-TM3
- RS-varenummer:
- 273-7467
- Producentens varenummer:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 22,96
(ekskl. moms)
Kr. 28,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 470 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 11,48 | Kr. 22,96 |
| 10 - 18 | Kr. 10,32 | Kr. 20,64 |
| 20 - 98 | Kr. 10,175 | Kr. 20,35 |
| 100 - 248 | Kr. 8,305 | Kr. 16,61 |
| 250 + | Kr. 7,37 | Kr. 14,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7467
- Producentens varenummer:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Emballagetype | PG-TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 40mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Emballagetype PG-TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 40mm | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Denne MOSFET er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1 til målanvendelse. Det er en N-kanal MOSFET og halogenfri i overensstemmelse med IEC61249 2 21.
Blyfri blybelægning
I overensstemmelse med RoHS
Fremragende gate opladning
Meget lav modstand ved tænding
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V N PG-TO-220, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 18 A 100 V N PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 45 A 80 V N TO-252, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 114 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 15 A 250 V Forbedring PG-TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 87 A 60 V Forbedring PG-TO-220 FullPAK, OptiMOS 5