Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR
- RS-varenummer:
- 279-9958
- Producentens varenummer:
- SIR638ADP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 89,912
(ekskl. moms)
Kr. 112,392
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.992 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | Kr. 22,478 | Kr. 89,91 |
| 60 - 96 | Kr. 22,085 | Kr. 88,34 |
| 100 - 236 | Kr. 21,693 | Kr. 86,77 |
| 240 - 996 | Kr. 21,225 | Kr. 84,90 |
| 1000 + | Kr. 20,833 | Kr. 83,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9958
- Producentens varenummer:
- SIR638ADP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00088Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 165nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00088Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 165nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay N-kanal-Kanal 100 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 42.6 A 100 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 47.6 A 100 V Forbedring SO-8, SiR