Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 92,98

(ekskl. moms)

Kr. 116,224

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.992 enhed(er) afsendes fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 23,245Kr. 92,98
60 - 96Kr. 22,815Kr. 91,26
100 - 236Kr. 22,423Kr. 89,69
240 - 996Kr. 21,955Kr. 87,82
1000 +Kr. 21,543Kr. 86,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9958
Producentens varenummer:
SIR638ADP-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00088Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

165nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links