Vishay 2 Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 80 V Forbedring, 12 Ben, 3 x 3FS, SIZF4800LDT Nej SIZF4800LDT-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 63,652

(ekskl. moms)

Kr. 79,564

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 15,913Kr. 63,65
60 - 96Kr. 11,93Kr. 47,72
100 - 236Kr. 10,66Kr. 42,64
240 - 996Kr. 10,415Kr. 41,66
1000 +Kr. 10,23Kr. 40,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
280-0006
Producentens varenummer:
SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

3 x 3FS

Serie

SIZF4800LDT

Monteringstype

Overflade

Benantal

12

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

80 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en dobbelt N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

Symmetrisk dobbelt n-kanal

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links